近日，中國科學院合肥物質院固體所王命泰研究員團隊在二氧化鈦納米棒陣列的生長機理、數量密度調控及其新型太陽電池構筑原理方面取得重要進展。相關研究成果發表在Small Methods上，相關技術已獲國家發明專利授權1項及受理1項。

單晶二氧化鈦納米棒陣列（TiO₂-NA）在光催化、光探測及新能源領域有著廣泛應用，而納米棒的直徑、長度及數量密度對其光電性能有重要的影響。研究團隊突破傳統納米結構調控方法的局限性，通過建立“宏觀工藝調控-微觀結構演化-器件性能優化”的完整知識體系，揭示并解決了TiO₂-NA的成核和取向生長機理、納米棒數量密度（N_D）的精準調控技術原理以及N_D調控的TiO₂-NA基太陽電池中最大光電流產生的必要條件等基礎問題。重要的發現如下：

通過調控前驅體薄膜的水解時間（t_H），實現了銳鈦礦TiO₂薄膜中納米顆粒的可控生長；提出凝膠鏈限制結晶（GCLC）生長模型，其中，較長t_H產生的較長凝膠鏈有利于較小納米顆粒的生成。該GCLC生長模型有望用于調控金屬氧化物薄膜的形貌及光電特性。

為了在多晶銳鈦礦TiO₂薄膜上生長金紅石單晶TiO₂-NA，提出了取向-競爭-外延（OCE）成核/生長模型。首先，在水熱過程初始階段，發現銳鈦礦TiO₂薄膜表面發生了原位銳鈦礦到金紅石（A-to-R）相變，使得銳鈦礦TiO₂納米顆粒轉變成金紅石TiO₂納米顆粒，為后續金紅石TiO₂納米棒的生長提供了成核種子。其次，發現[101]取向的金紅石TiO₂納米顆粒在單晶納米棒的生長中最具競爭力，進而促進[101]取向的金紅石單晶TiO₂納米棒沿[001]方向的面外生長；周圍競爭性較弱和取向不利的金紅石TiO₂納米顆粒和銳鈦礦型TiO₂納米顆粒處的晶體成核及生長會被合并、抑制或禁止，從而產生納米棒之間的空隙。該OCE成核/生長模型可為多晶體表面的單晶生長提供指導。

由于較大的銳鈦礦TiO₂納米顆粒易發生原位A-to-R相變，TiO₂-NA中N_D可以通過t_H得到有效調控。研究人員通過調控t_H，結合一定的水熱反應條件，在不改變直徑和長度的情況下，實現了對TiO₂-NA中的N_D進行有效調控。進一步將N_D調控的TiO₂-NA用于構筑CuInS₂太陽電池，提出了體積-面積-密度（VSD）多參數耦合模型，定量揭示了N_D與光電流產生相關性的物理原理，首次在低溫條件制備了效率大于10%的CuInS₂太陽電池，并創造了新的CuInS₂太陽電池光電轉換效率記錄（10.44%）。該VSD多參數耦合模型為設計體型異質結結構光電器件提供了理論基礎。

固體所博士生曹文博、博士后董超為該論文共同第一作者，固體所王命泰研究員、陳沖研究員為該論文共同通訊作者。該工作主要得到了國家自然科學基金和中國科學院合肥物質院院長基金等項目的資助。

論文連接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/smtd.202500264

圖.二氧化鈦納米棒陣列制備技術、生長原理及電池結構與載流子產生模型示意圖。